الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 600V CPT
حالة الجزء :
Not For New Designs
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.7V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
175pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63