الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8-DIP
التكوين مدفوعة :
Half-Bridge
نوع البوابة :
IGBT, N-Channel MOSFET
الجهد - العرض :
15V ~ 20V
الجهد المنطقي - VIL ، VIH :
1.2V, 2.9V
التيار - خرج الذروة (المصدر ، المغسلة) :
350mA, 650mA
نوع الإدخال :
Non-Inverting
الجهد العالي الجانب - ماكس (التمهيد) :
600V
ارتفاع / سقوط الوقت (الطباع) :
50ns, 30ns
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
حزمة / القضية :
8-DIP (0.300", 7.62mm)