رقم القطعة :
SI4618DY-T1-E3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
نوع FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
44nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1535pF @ 15V
أقصى القوة :
1.98W, 4.16W
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)