Ampleon USA Inc. - BLP10H603AZ

KEY Part #: K6466375

BLP10H603AZ التسعير (USD) [5697الأسهم قطعة]

1 pcs$8.91795
60 pcs$8.87358
120 pcs$7.54702
300 pcs$7.19946
600 pcs$6.85190

رقم القطعة:: BLP10H603AZ

الصانع:: Ampleon USA Inc.

وصف مفصل:: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.

الصانع المهلة القياسية:: في المخزن

مدة الصلاحية:: سنة واحدة

رقاقة من:: هونج كونج

بنفايات:

طريقة الدفع او السداد:

طريقة الشحن:

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة and الثنائيات - مقومات الجسر ...

Competitive Advantage:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLP10H603AZ electronic components. BLP10H603AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP10H603AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP10H603AZ سمات المنتج

رقم القطعة : BLP10H603AZ

الصانع : Ampleon USA Inc.

وصف : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الترانزستور : LDMOS

تكرر : 860MHz

كسب : 22.8dB

اختبار الجهد : 50V

التصويت الحالي : -

الشكل الضوضاء : -

الاختبار الحالي : 15mA

مخرج قوي : 2.5W

الجهد - تصنيف : 104V

حزمة / القضية : 12-VDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد : 12-HVSON (6x4)

قد تكون أيضا مهتما ب

MMBFJ309

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 30MA SOT23.
3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

FET RF 12.5V 800MHZ USQ.
3SK294(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

FET RF 12.5V 500MHZ USQ.
3SK291(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH SMQ.
3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.
STAC3932F

STMicroelectronics

TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

English العربية