رقم القطعة :
SI4465ADY-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
8V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
85nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
تبديد الطاقة (ماكس) :
3W (Ta), 6.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)