الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
50V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.7A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
200 mOhm @ 860mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
13nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
250pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
حزمة / القضية :
4-DIP (0.300", 7.62mm)