رقم القطعة :
SIA427ADJ-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
8V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
50nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2300pF @ 4V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SC-70-6 Single
حزمة / القضية :
PowerPAK® SC-70-6