Rohm Semiconductor - RF103L2STE25

KEY Part #: K6457901

RF103L2STE25 التسعير (USD) [742232الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.06010
  • 1,500 pcs$0.05980

رقم القطعة:
RF103L2STE25
الصانع:
Rohm Semiconductor
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS. Rectifiers 200V 1A
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - SCRs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Rohm Semiconductor RF103L2STE25 electronic components. RF103L2STE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF103L2STE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF103L2STE25 سمات المنتج

رقم القطعة : RF103L2STE25
الصانع : Rohm Semiconductor
وصف : DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
سلسلة : -
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 920mV @ 1A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 20ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 200V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد : PMDS
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt