رقم القطعة :
IRFL024ZTRPBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5.1A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
57.5 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
340pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-223
حزمة / القضية :
TO-261-4, TO-261AA