الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
نوع FET :
N and P-Channel
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.7A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
246pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)