الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
14.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
75nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
7300pF @ 16V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)