Infineon Technologies - IPD65R600E6ATMA1

KEY Part #: K6419837

IPD65R600E6ATMA1 التسعير (USD) [136804الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.27037
  • 2,500 pcs$0.24807

رقم القطعة:
IPD65R600E6ATMA1
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1 electronic components. IPD65R600E6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R600E6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R600E6ATMA1 سمات المنتج

رقم القطعة : IPD65R600E6ATMA1
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
سلسلة : CoolMOS™ E6
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 7.3A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 440pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PG-TO252-3
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب