Vishay Siliconix - IRFB18N50KPBF

KEY Part #: K6399501

IRFB18N50KPBF التسعير (USD) [17545الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$2.34893

رقم القطعة:
IRFB18N50KPBF
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - واحد and الثايرستور - SCRs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix IRFB18N50KPBF electronic components. IRFB18N50KPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB18N50KPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB18N50KPBF سمات المنتج

رقم القطعة : IRFB18N50KPBF
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 17A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 290 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2830pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 220W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة جهاز المورد : TO-220AB
حزمة / القضية : TO-220-3

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.