رقم القطعة :
NVTFS6H850NTAG
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11A (Ta), 68A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 70µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
19nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1140pF @ 40V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.2W (Ta), 107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-WDFN (3.3x3.3)
حزمة / القضية :
8-PowerWDFN