الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET P-CHAN 24V SOT23
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
62 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
6.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
487pF @ 20V
تبديد الطاقة (ماكس) :
800mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3