Vishay Siliconix - SIHB100N60E-GE3

KEY Part #: K6399634

SIHB100N60E-GE3 التسعير (USD) [16151الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$2.55165

رقم القطعة:
SIHB100N60E-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - SCRs - وحدات and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB100N60E-GE3 electronic components. SIHB100N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB100N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB100N60E-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHB100N60E-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2
سلسلة : E
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 30A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1851pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D²PAK (TO-263)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

قد تكون أيضا مهتما ب
  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.

  • IRFI634GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP.

  • R6020ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM.