BAS21E6433HTMA1 التسعير (USD) [3658896الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01110
- 10,000 pcs$0.01105
- رقم القطعة:
- BAS21E6433HTMA1
- الصانع:
- Infineon Technologies
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثنائيات - RF, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة and الثنائيات - مقومات الجسر ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Infineon Technologies BAS21E6433HTMA1 electronic components. BAS21E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21E6433HTMA1 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAS21E6433HTMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Last Time Buy
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
200V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 200mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
100nA @ 200V
السعة @ Vr ، F :
5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
150°C (Max)
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73