وصف :
MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
10A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
80 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1630pF @ 10V
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
12-SIP w/fin