الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
800 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
260pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220-3
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab