رقم القطعة :
VS-GB150TH120U
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
1200V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
280A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
3.6V @ 15V, 150A
الحالية - قطع جامع (ماكس) :
5mA
سعة الإدخال (Cies) @ Vce :
12.7nF @ 30V
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount
حزمة / القضية :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
حزمة جهاز المورد :
Double INT-A-PAK