Diodes Incorporated - DMT6009LSS-13

KEY Part #: K6394107

DMT6009LSS-13 التسعير (USD) [194738الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.18993
  • 2,500 pcs$0.16810

رقم القطعة:
DMT6009LSS-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد and الثنائيات - مقومات - صفائف ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LSS-13 electronic components. DMT6009LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LSS-13 سمات المنتج

رقم القطعة : DMT6009LSS-13
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 10.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1925pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-SO
حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.