رقم القطعة :
IPB108N15N3GATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
83A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
10.8 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 160µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
55nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3230pF @ 75V
تبديد الطاقة (ماكس) :
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB