الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IGBT 600V 6A 60W DPAK
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
600V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
6A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
9A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
2.52V @ 15V, 3A
تحويل الطاقة :
52µJ (on), 30µJ (off)
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
5.5ns/22ns
شرط الاختبار :
400V, 3A, 10 Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
21ns
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد :
TO-252, (D-Pak)