Infineon Technologies - IRFB812PBF

KEY Part #: K6420370

IRFB812PBF التسعير (USD) [188931الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.19577
  • 1,000 pcs$0.18794

رقم القطعة:
IRFB812PBF
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IRFB812PBF electronic components. IRFB812PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB812PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB812PBF سمات المنتج

رقم القطعة : IRFB812PBF
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
سلسلة : HEXFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3.6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 810pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة جهاز المورد : TO-220AB
حزمة / القضية : TO-220-3

قد تكون أيضا مهتما ب