Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETH06-N3

KEY Part #: K6442725

VS-8ETH06-N3 التسعير (USD) [3035الأسهم قطعة]

  • 1,000 pcs$0.59410

رقم القطعة:
VS-8ETH06-N3
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الثايرستور - DIACs ، SIDACs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8ETH06-N3 electronic components. VS-8ETH06-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8ETH06-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETH06-N3 سمات المنتج

رقم القطعة : VS-8ETH06-N3
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
سلسلة : FRED Pt®
حالة الجزء : Obsolete
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 8A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 2.4V @ 8A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 25ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 50µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : TO-220-2
حزمة جهاز المورد : TO-220AC
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • GDP03S060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.