رقم القطعة :
DMG4800LK3-13
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
10A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
798pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.71W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-252-3
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63