رقم القطعة :
APTGLQ50DDA65T3G
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
POWER MODULE - IGBT
نوع IGBT :
Trench Field Stop
ترتيب :
Dual Boost Chopper
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
650V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
70A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
2.3V @ 15V, 50A
الحالية - قطع جامع (ماكس) :
50µA
سعة الإدخال (Cies) @ Vce :
3.1nF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount