Vishay Siliconix - SQ3985EV-T1_GE3

KEY Part #: K6523064

SQ3985EV-T1_GE3 التسعير (USD) [344842الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.10726

رقم القطعة:
SQ3985EV-T1_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3985EV-T1_GE3 electronic components. SQ3985EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3985EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3985EV-T1_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQ3985EV-T1_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : 2 P-Channel (Dual)
ميزة FET : Standard
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 350pF @ 10V
أقصى القوة : 3W
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد : 6-TSOP

قد تكون أيضا مهتما ب
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.