رقم القطعة :
NTHD3101FT3G
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.2A (Tj)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
680pF @ 10V
ميزة FET :
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
ChipFET™
حزمة / القضية :
8-SMD, Flat Lead