ON Semiconductor - FDD13AN06A0

KEY Part #: K6417714

FDD13AN06A0 التسعير (USD) [132923الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.27826
  • 2,500 pcs$0.26616

رقم القطعة:
FDD13AN06A0
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - RF, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDD13AN06A0 electronic components. FDD13AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD13AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD13AN06A0 سمات المنتج

رقم القطعة : FDD13AN06A0
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
سلسلة : PowerTrench®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 9.9A (Ta), 50A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1350pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : DPAK
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب