رقم القطعة :
SPA04N80C3XKSA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
800V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 240µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
31nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
570pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO220-FP
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack