رقم القطعة :
SSM3J355R,LF
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
30.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
16.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1030pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23F
حزمة / القضية :
SOT-23-3 Flat Leads