Winbond Electronics - W9812G6JB-6I

KEY Part #: K940245

وصف مفصل:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - PFC (تصحيح معامل القدرة), الحصول على البيانات - التحكم باللمس, الساعة / التوقيت - خطوط التأخير, PMIC - منظمات الجهد - تحكم منظم الخطي, مضمن - FPGAs (مصفوفة بوابة قابلة للبرمجة ميدانيًا), الخطية - معالجة الفيديو, جزءا لا يتجزأ من - متحكم ، المعالج الدقيق ، وحدات and جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر ...

Competitive Advantage:: We specialize in Winbond Electronics W9812G6JB-6I electronic components. W9812G6JB-6I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9812G6JB-6I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : W9812G6JB-6I

الصانع : Winbond Electronics

وصف : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM

حجم الذاكرة : 128Mb (8M x 16)

تردد على مدار الساعة : 166MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 5ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 3V ~ 3.6V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 54-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 54-TFBGA (8x8)

قد تكون أيضا مهتما ب

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz
W632GU8MB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,