رقم القطعة :
BUZ32H3045AATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
530pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TO263-3
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB