رقم القطعة :
RJK6026DPE-00#J3
الصانع :
Renesas Electronics America
وصف :
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
440pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
4-LDPAK