الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
32A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA (Typ)
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
130nC @ 20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2560pF @ 1000V
تبديد الطاقة (ماكس) :
165W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-227
حزمة / القضية :
SOT-227-4, miniBLOC