رقم القطعة :
RN2966FE(TE85L,F)
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
نوع الترانزستور :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
100mA
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
50V
المقاوم - قاعدة (R1) :
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (R2) :
47 kOhms
كسب التيار المستمر (hFE) (Min) @ Ic ، Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib، Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
الحالية - قطع جامع (ماكس) :
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال :
200MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
SOT-563, SOT-666