Vishay Siliconix - SI4539ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6523463

[4674الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    SI4539ADY-T1-GE3
    الصانع:
    Vishay Siliconix
    وصف مفصل:
    MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات and الثنائيات - زينر - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4539ADY-T1-GE3 electronic components. SI4539ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4539ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4539ADY-T1-GE3 سمات المنتج

    رقم القطعة : SI4539ADY-T1-GE3
    الصانع : Vishay Siliconix
    وصف : MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
    سلسلة : TrenchFET®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N and P-Channel
    ميزة FET : Logic Level Gate
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 4.4A, 3.7A
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 36 mOhm @ 5.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 20nC @ 10V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
    أقصى القوة : 1.1W
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    حزمة جهاز المورد : 8-SO