ON Semiconductor - FDU8880

KEY Part #: K6411263

[13852الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    FDU8880
    الصانع:
    ON Semiconductor
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - مقومات الجسر and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in ON Semiconductor FDU8880 electronic components. FDU8880 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDU8880, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDU8880 سمات المنتج

    رقم القطعة : FDU8880
    الصانع : ON Semiconductor
    وصف : MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
    سلسلة : PowerTrench®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 13A (Ta), 58A (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 10 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1260pF @ 15V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 55W (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
    تصاعد نوع : Through Hole
    حزمة جهاز المورد : I-PAK
    حزمة / القضية : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • ZVN2106ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • ZVN2106ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • ZVN1409ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN1409ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN1409ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN0545ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.