الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 650V 260MOHM TO220
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.2mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
24nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1010pF @ 400V
تبديد الطاقة (ماكس) :
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220-3