الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.13A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
200 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
200pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
400mW (Tj)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3