رقم القطعة :
NGB8207ANT4G
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
365V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
20A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
50A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
2.2V @ 3.7V, 10A
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
-
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB