رقم القطعة :
DMP21D0UFB-7
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
770mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
1.5nC @ 8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
76.5pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
430mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
3-DFN1006 (1.0x0.6)