Taiwan Semiconductor Corporation - S3B M6G

KEY Part #: K6458196

S3B M6G التسعير (USD) [948493الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.03900

رقم القطعة:
S3B M6G
الصانع:
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر and الثنائيات - مقومات - صفائف ...
Competitive Advantage:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S3B M6G electronic components. S3B M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3B M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3B M6G سمات المنتج

رقم القطعة : S3B M6G
الصانع : Taiwan Semiconductor Corporation
وصف : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 100V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 3A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.15V @ 3A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 1.5µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 100V
السعة @ Vr ، F : 30pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AB, SMC
حزمة جهاز المورد : DO-214AB (SMC)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in