Winbond Electronics - W9751G8KB25I TR

KEY Part #: K942797

وصف مفصل:: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA. DRAM 512M DDR2-800, x8 Ind Temp T&R

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: بطاريات الذاكرة, واجهة - أجهزة المودم - المرحلية والوحدات النمطية, جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر - تطبيق معين, PMIC - أو تحكم ، الثنائيات المثالية, واجهة - مخازن إشارة ، الراسبين ، الخائن, جزءا لا يتجزأ - المعالجات الدقيقة, واجهة - تحكم and الخطية - مكبرات الصوت - الصوت ...

Competitive Advantage:: We specialize in Winbond Electronics W9751G8KB25I TR electronic components. W9751G8KB25I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9751G8KB25I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : W9751G8KB25I TR

الصانع : Winbond Electronics

وصف : IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR2

حجم الذاكرة : 512Mb (64M x 8)

تردد على مدار الساعة : 400MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 400ps

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 1.7V ~ 1.9V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 95°C (TC)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 60-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 60-WBGA (8x12.5)

قد تكون أيضا مهتما ب

DS28EC20+T

Maxim Integrated

IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3. EEPROM 20Kb 1-Wire EEPROM
IS25LP064A-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS
IS25WP128F-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R
W25N01GVZEIT TR

Winbond Electronics

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 1G-bit Serial NAND flash, 3V
W25N01GVZEIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 1G-bit Serial NAND flash, 3V
W25Q128JVEIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector