الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
80A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.6 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 50µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
25nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3110pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TO263-3-2
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB