رقم القطعة :
APTMC120TAM33CTPAG
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
نوع FET :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
ميزة FET :
Silicon Carbide (SiC)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 3mA (Typ)
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
148nC @ 20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2850pF @ 1000V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount