BYM10-600HE3/97 التسعير (USD) [675586الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.05475
- 10,000 pcs$0.04962
- رقم القطعة:
- BYM10-600HE3/97
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-600HE3/97 electronic components. BYM10-600HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-600HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM10-600HE3/97 سمات المنتج
رقم القطعة :
BYM10-600HE3/97
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
سلسلة :
SUPERECTIFIER®
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
600V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.1V @ 1A
سرعة :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
-
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
10µA @ 600V
السعة @ Vr ، F :
8pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
DO-213AB, MELF (Glass)
حزمة جهاز المورد :
DO-213AB
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-65°C ~ 175°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
أجزاء ساخنة
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18