رقم القطعة :
IRF6619TR1PBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
30A (Ta), 150A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
57nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5040pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
DIRECTFET™ MX
حزمة / القضية :
DirectFET™ Isometric MX