رقم القطعة :
SI4403DDY-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
سلسلة :
TrenchFET® Gen III
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
15.4A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
99nC @ 8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3250pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)